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[신규장비] 절연막 원자층 증착기


신규장비 절연막 원자층 증착기
[한국나노기술원 시스템반도체 공정개발실]

 

한국나노기술원에 도입된 절연막 원자층 증착기를 소개합니다.
300mm 대구경 단일 챔버 원자층 증착 시스템 (Single-chamber Atomic Deposition System)으로 12인치 이하의 기판 위에 수 Å의 원자층 두께를 가지는 절연 박막 증착이 가능합니다.
본 시스템은 4월부터 이용할 수 있습니다.

 

○ 장비명
 (국문) 절연막 원자층 증착기
 (영문) Atomic Layer Deposition-Insulators
○ 제조사 : (주)엔씨디
○ 모  델 : Lucida M300PL-O

 

절연막 원자층 증착기 이미지

  ○ Specifications

    ㆍWafer size : pieces ∼ 12inch
        - 300mm Notch Wafer @ SEMI Standard
        - Single wafer process (12inch)

    ㆍProcess gas : O2, N2, Ar, O3, H2

    ㆍTemperature : R.T ∼ 500℃

    ㆍProcess mode : Thermal ALD, Plasma Enhanced ALD

    ㆍRF plasma kits
        - Frequency : 13.56MHz
        - Max Power : 1000W
        - Function : Pulsed mode

ㆍ4 Precursors

  ○ Application

ㆍ시스템반도체 및 GaN 기반 소자의 절연막 / 보호막 형성

ㆍOxide Process - Al2O3, HfO2, ZrO2, Ta2O5

관련 문의 : 한국나노기술원 시스템반도체 공정개발실 이지환 선임연구원
            031-546-6226 (heekwan.lee@kanc.re.kr)