식각기술
| 기술명 | SiC 기판의 식각 프로파일 조절이 가능한 식각공정 기술 | ||
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| 요약 | ㆍ 신 반도체 소재인 SiC 및 GaN은 재료가 갖는 물리적 특성으로 인하여 고출력 소자 분야에 있어서 기존의 실리콘 등 타 반도체 재료에 비해 탁월한 장점을 갖는 재료임 ㆍ 기존에 널리 쓰이고 있는 실리콘에 비해 항복전압이 열배 이상 커서 고내압소자 구현이 용이하며, 높은 saturation velocity에 의해 고속 스위칭 방식의 전력공급장치 구현 가능. ㆍ 따라서 SiC 식각 공정 기술 및 Metal Filling 공정의 필요성이 대두됨 |
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| 결과 | ㆍSiC 식각 결과 - SiC Etch Slope Control 가능: 41 ~ 78 Degree - High Etch Rate & High Etch Selectivity: 2000A/min. >100 (Ni) ㆍSiC 식각 개발 관련 발표 실적 - 2012 AVS 학회 발표 [Advanced Etch Profile Control and the Impact of Sidewall Angle at SiC Etch for Metal Filling Process] - 2014 논문 발표 |
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| 기술적가치 | ㆍ 본 연구를 통하여 개발된 고효율 에너지절감형 전력반도체 기술은 데이터 센터응용뿐만 아니라 하이브리드 자동차, 전기자동차 등의 분야에 높은 항복 전압 및 고온 환경에서 동작하는 컨버터나 인버터 및 다이오드 등 전력 반도체 기술에 있어서 backside via hole 공정이 응용될 것으로 기대된다 | ||
| 활동분야 | ㆍ 전력 반도체 | ||
| 기술관련문의 | ㆍ 시스템반도체공정개발실 임웅선 선임 (031-546-6235, woongsun.lim@kanc.re.kr) | ||
