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기술소개

식각기술

기술소개 공정기술 식각기술

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식각기술 T-gate가 형성된 전자소자의 gate recess를 위한 절연막(SiO2) 건식식각공정기술 ㆍ 그림과 같은 구조를 갖는 전자소자에서 gate recess 공정 전 절연막 식각 시 아래의 두 기술은 필수적이다.
- 나노패턴의 건식식각 데미지 최소화 (lift off 시 잔여 resist 없이 T-gate 모양유지를 위함)
- 바닥면에서 gate recess를 위한 wet etching에 방해될 수 있는 잔류물의 부재
ㆍ 본 공정기술은 20nm gate foot을 갖는 소자까지 gate recess가 완료된 T-gate 구조물을 구현하는 것에 성공하였다.
ㆍ 본 기술은 epi.의 구조, 절연박막의 특성, 패터닝의 상태에 따라 조건의 조절이 필요할 수 있다.
식각기술 PMMA 건식 식각공정 기술 ㆍ 나노 리소그래피 공정에서 감광물질로 널리 사용되는 PMMA(poly methylmethacrylate)를 dry etching 방법으로 플라즈마 내에서 발생 된 라디칼에 의한 식각공정 개발이다.
식각기술 Nano pattern 고선택성 Si 식각공정 기술 ㆍ 1um 이하 선폭에 대한 Si etch selectivity 개선을 통해 high aspect ratio etch조건 확보
ㆍ 현 수준
1. Etch rate : 800~1200Å/min
2. Selectivity : 1~1.3 : 1
3. Sidewall slope : ~90도
※ Selectivity가 낮아 etch depth의 제약이 있음
식각기술 TSV (Through Silicon Via) 식각공정 기술 ㆍ Lithography의 한계성과 소형화에 따른 고집적, 고밀도의 반도체 제조를 위해 TSV (Through Silicon Via) 3D 적층 패키지 기술이 필요.
ㆍ 기존 와이어 본딩 패키지나 플립칩 패키지에 비해 전력손실 적고, 동작속도 빠름
ㆍ Si Etch를 통한 Hole 및 Via 형성과 Hole 및 Via에 Seed Metal 증착의 Step Coverage 그리고 Cu전기도금을 이용한 Hole 및 Via의 Cu 충진이 중요 이슈
식각기술 SiC 기판의 식각 프로파일 조절이 가능한 식각공정 기술 ㆍ 신 반도체 소재인 SiC 및 GaN은 재료가 갖는 물리적 특성으로 인하여 고출력 소자 분야에 있어서 기존의 실리콘 등 타 반도체 재료에 비해 탁월한 장점을 갖는 재료임
ㆍ 기존에 널리 쓰이고 있는 실리콘에 비해 항복전압이 열배 이상 커서 고내압소자 구현이 용이하며, 높은 saturation velocity에 의해 고속 스위칭 방식의 전력공급장치 구현 가능.
ㆍ 따라서 SiC 식각 공정 기술 및 Metal Filling 공정의 필요성이 대두됨

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