KANC 한국나노기술원

1. 과정 목적

화합물반도체 설계 분야 인재 양성을 위하여 대학 학부·대학원생 등을 대상으로 하는 설계 검증 MPW 제작 지원을 통한 화합물반도체 설계 분야 인재의 역량 향상

2. 지원자격 및 우대사항

ㅁ 대학 학부·대학원생으로서 400nm  GaN RF 회로 설계가 가능한 학생

- ADS 회로 설계 및 레이아웃 Tool을 사용할 수 있는 대학 학부·대학원생

- 제작된 소자의 특성 평가 분석이 가능한 대학 학부·대학원생
※ 대학 지도교수 승인 필수

ㅁ 지원 구성

- 지도교수가 3~5명을 한 팀으로 구성하여 신청(팀원 최소 2명 이상)

- 한 팀당 3.8mm*4.8mm 설계 면적 제공(Scribe line 면적 미포함)

※ 신청 결과 및 기관 사정에 따라 변동될 수 있음

   ㅁ 우대 사항

- 대학 수업 등 교육 프로그램과 연계된 경우 우선 선정

3. 과정 지원 내용

   ㅁ 400nm  GaN RF 기반 MPW(Multi-Project wafer) 제작, Bare Die 무료 제작 지원

   ㅁ PDK 포함 내용

- Model parameter : HEMT, Resistor, Capacitor, Inductor

- 배선 구조 : CPW type설계(Backside Via 미제공)

- GaN HEMT 소자 Simulation을 위한 대신호 모델

- Pcell : HEMT, Thin Film Resistor, MIM Capacitor, Spiral Inductor

- Rule Deck(Calibre) : DRC, LVS

- Design guide

   ㅁ MPW 제작 지원

-선정된 설계 회로에 대한 MPW Layout 검증 및 제작 지원

-MPW Wafer 공정을 통한 GaN RF Device 설계 검증

-제작 후 DC 및 RF 특성 측정을 위한 Bare Die 제공