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공지

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[신규장비] P-5000 PECVD 안내


신규장비 P-5000 PECVD
[한국나노기술원 융합공정기술본부 공정기술실]

 

  한국나노기술원에 도입된 P-5000 PECVD 절연막 증착장비를 소개합니다.
조각부터 8인치 Wafer까지 가능하며 SiO2,SiN,SiON 등의 절연막을 온도 변화가 가능한 조건하에서 증착 가능합니다.
본 시스템은 11월부터 이용할 수 있습니다.
 
○ 장비명
 (국문) 화학기상증착기 III
 (영문) Chemical vapor deposition III
○ 제조사 : AMAT(Applied materials)
○ 모  델 : P-5000
 

  ○ Specifications

    ㆍ Wafer size : Pieces ~ 8 inch
    ㆍ Process temp : 200 ~ 400 ℃ (Base : 400 ℃)
    ㆍ Depo rate(SiO2) : > 9000 Å/min
    ㆍ Depo rate(SiN) : > 8000 Å/min
    ㆍ Uniformity : <3%

  ○ Application

    ㆍ SiO2 deposition
    ㆍ SiN deposition
    ㆍ SiON deposition
    ㆍ Dielectric thin film deposition

 
관련 문의 : 한국나노기술원 융합공정기술본부 공정기술실 이병오 선임연구원
                    031-546-6337(byungou.lee@kanc.re.kr)