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[재직자 대상 교육] 반도체 단위공정 (Photo/Etch) 실습 교육 과정 교육생 모집 안내
- 등록일 2023.08.02
- 조회수 602
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첨부파일
반도체 단위공정 (포토식각) 실습 과정_교육생 모집 안내.hwp 교육신청서_rev.hwp 23년도 사전조사설문지.hwp 개인정보이용제공동의서_rev.hwp
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반도체 단위공정 (Photo/Etch) 실습 교육 과정 교육생 모집 안내 |
■ 교 육 명 : 반도체 단위공정 (Photo/Etch) 실습 과정
■ 교육목표 : 반도체 소자 제작을 위해 필요한 포토공정, 식각공정, 세정공정 등의 단위공정을 이해하여 소자 제작에 영향을 미치는 기술들을 파악하여 산업 현장에서 활용 가능한 실무 기술 역량 향상을 위한 전문 인력 양성
■ 교육기간 : 2023년 8월 30일(수) ~ 9월 1일(금) (총 24시간, 1일 8시간)
■ 교육장소 : 한국나노기술원 6층 설계교육실 & FAB
■ 교육대상 및 모집인원
1) 교육대상 : 반도체/디스플레이 관련 중소/중견기업 재직자
2) 모집인원 : 12명 (선착순 마감) *예비자 적정 인원으로 추가 모집 예정
■ 교 육 비 : 무료
■ 신청기간 및 방법
1) 신청기간 : 2023년 8월 1일(화) ~ 8월 24일(목)
* 12명 이상 신청 시에는 8월 24일 이전이라도 신청 기간이 종료됩니다.
2) 신청방법 : 한국나노기술원(www.kanc.re.kr) 홈페이지 접속 > 공지사항 > 교육과정 확인 후 교육신청서/사전조사 설문지 작성/첨부하여 E-mail 신청, 접수(training@kanc.re.kr)
■ 문의처
1) 교육과정 문의 : 한국나노기술원 박주한 연구원 (T. 031-546-6233/E.-mail training@kanc.re.kr)
■ 기타 안내사항
ㆍ 교육시작 당일에 반드시 재직증명서와 개인정보보호 수집동의서(별첨)를 제출하여야 합니다.
ㆍ 인원이 적을 경우, 해당 교육과정은 개설되지 않을 수 있습니다.
ㆍ 중식은 무료로 제공되나 주차 요금은 제공하지 않습니다.(1일 주차료 7,000원)
- 교육생 선발 여부는 교육 시작일 기준으로 2~3일 전까지 개별 안내 예정입니다. (이메일 및 문자)
- 본 과정은 실습을 포함한 3일 과정으로 업무 일정을 충분히 고려하여 신청해주시기 바라며, 사전 연락 없이 불참 시 소속 기업의 교육 신청이 제한될 수 있습니다.
■ 세부 교육 내용
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교육과정명 |
반도체 단위공정 (Photo/Etch) 실습 교육 과정 |
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교육 목표 |
반도체 소자 제작을 위해 필요한 포토/리소 공정, 식각 공정, 세정 공정 등의 단위공정을 이해하여 소자 제작에 영향을 미치는 기술들을 파악하여 산업 현장에서 활용 가능한 실무기술 역량 향상을 위한 전문 인력양성 |
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교육 내용 |
ㆍ 단위 공정을 이해하고 장비를 활용하는 실습 교육 ㆍ 단위공정 중 Photo/Etch/Cleaning 공정에 사용되는 장비 실습 교육 |
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교육 대상 |
반도체 단위공정 중 포토/에치공정 기술력이 요구되는 산업체 재직자 |
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교육 인원 |
12명(2개조) |
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활용 장비 |
E-beam Lithography, Aligner, Stepper, Track, ICP-Etcher, M/W Asher, HDP CVD, PR Coater, Wet Station 등 |
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교육 기간 |
24시간 |
* 세부 일정
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일 정 |
주 제 |
교육내용 |
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1일차 |
09:00~10:00 |
오리엔테이션 |
교육 과정 안내 및 조 편성 |
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10:00~12:00 |
팹 출입 안전교육 |
·클린룸의 필요성, 원리 등의 이해, 클린룸 내 준수사항 ·Fab 내 사용 유해물질(가스,케미컬 등) 이해 |
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12:00~13:00 |
중 식 |
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13:00~18:00 |
반도체 공정기술 이론교육 |
·주요 8대 공정 실무기술의 이해 ·단위공정(Photo/Etch) 장비활용 기술의 이해 |
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2일차 |
09:00~12:00 |
Photo Lithography이해 |
·E-beam Lithograph를 활용한 마스크 제작기법 실습 |
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12:00~13:00 |
중 식 |
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13:00~14:00 |
Cleaning 및 Wet Etch 이해 |
·Wet Bench를 활용한 여러 세정 및 etch 기술 응용 실습 |
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14:00~16:00 |
Photo PR 특성 이해 |
·PR의 종류, 파라미터, Bake에 따른 코팅 공정이 패턴 형성에 미치는 영향을 실습 |
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16:00~18:00 |
Photo 노광 공정 이해 |
·Aligner, Stepper를 활용하여 광원의 종류에 따른 회로 패턴 형성 공정을 실습 |
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3일차 |
09:00~11:00 |
Photo 현상 공정 이해 |
·Track을 활용한 PR 코팅, soft bake, PEB, 현상공정 방법 실습과 패턴공정의 불량요소를 파악 |
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11:00~12:00 |
PR strip 공정 이해 |
·포토 공정 후 PR 제거를 위한 방법 중 Microwave Asher를 활용한 공정을 실습하며 장단점을 비교 활용 |
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12:00~13:00 |
중 식 |
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13:00~15:00 |
Metal Etch 공정 이해 |
·여러 Etch 공정방법을 이해하고 ICP Etcher를 활용하여 etch rate, etch profile, selectivity, uniformity 등 공정에 영향을 미치는 parameter를 파악하여 활용 |
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15:00~17:00 |
SiO2 Etch 공정 이해 |
·HDP CVD를 활용하여 산화막을 etching하는 공정 실습 |
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17:00~18:00 |
교육 평가 및 수료식 |
·교육 평가 및 수료식 개최 |
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※ 위 일정은 교육 여건 및 상황 등에 따라 변동될 수 있습니다.
■ 교육장 오시는 길
- 한국나노기술원 : www.kanc.re.kr 접속 > 기술원 소개 > 찾아오시는 길
주소 : 경기도 수원시 영통구 광교로 109 (동수원 IC에서 10분 거리)