식각기술
| 기술명 | 질화막이 필요 없는 실리콘 관통 식각공정 기술 | ||
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| 요약 | ㆍ 기존 일반적인 실리콘 관통 공정은 Dry etching이나 KOH wet etching을 주로 사용하고 있음. ㆍ Dry etching의 경우 vertical한 profile을 얻을 수 있지만, 고가의 진공 장비가 필요하고 한 장씩 진행 가능. ㆍ Wet etching의 경우 여러장 동시 진행 가능하지만, 고온에서 성장된 질화막 etch mask가 반드시 필요. |
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| 결과 | ㆍElectroplating을 이용한 양면 passivation 및 wet etching을 통한 실리콘 관통 공정 완료 ㆍ고온 공정인 실리콘 질화막 etch mask가 필요하지 않음 ㆍPassivation 막은 간단한 wet etching 공정으로 쉽게 제거 가능 |
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| 기술적가치 | ㆍ 저온 공정며 이미 metal pattern이 있거나 디바이스가 형성 된 경우도 적용 가능. | ||
| 활동분야 | ㆍ MEMS device ㆍ Membrane제작 |
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| 기술관련문의 | ㆍ 광소자개발실 신현범 책임 (031-546-6314, hyunbeom.shin@kanc.re.kr) | ||
