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에피기술

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기술명 AlGaN/GaN 기반 HEMT 센서 플랫폼 기술 (KANCSensGaNTM)
요약 ㆍ AlGaN/GaN HEMT는 기반 물질인 GaN의 우수한 고온 내구성과 화학적 안정성 때문에 극한환경용 센서로 적합함. 또한 전자농도가 높은 2-DEG로 인해 우수한 감도 특성을 가짐.
결과
사진

< AlGaN/GaN HEMT 센서 소개 >
AlGaN/GaN HEMT는 기반 물질인 GaN의 우수한 고온 내구성과 화학적 안정성 때문에 극한환경용 센서로 적합함. 또한 전자농도가 높은 2-DEG로 인해 우수한 감도 특성을 가짐.


< SensGaNTM 플랫폼 구성 >

  • 트랜지스터/다이오드 타입 소자
  • 가스/액상형 센서
  • 다양한 게이트 길이와 폭을 가짐
  • 사용자 감지 물질 부착 대응

SensGaN 플랫폼 구성도

< 센서 플랫폼으로 제작된 수소 센서 특성 >

  • R.T ~ 500C 까지 동작

센서 플랫폼으로 제작된 수소 센서의 온도별 특성그래프

  • 게이트 바이어스 인가하여 1X106 % 의 감도 특성 보임

센서 플랫폼으로 제작된 수소 센서 특성
 

기술적가치
활동분야 ㆍ 가스 센서, 바이오 센서
ㆍ 고온 및 극한환경용 센서
기술관련문의 ㆍ 시스템반도체공정개발실 조주영 선임 (031-546-6326, chuyoung.cho@kanc.re.kr)