후공정기술
| 기술명 | Sapphire(SiC) wafer 절삭 공정 | ||
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| 요약 | ㆍ 사파이어 웨이퍼와 같이 높은 경도의 물질은 일반적으로 절삭 가공이 매우 까다롭다. - 일반 Quartz에 비하여 누프경도는 2.2배, 비커스 경도는 5.5배 높음 - 다이아몬드 그릿이 박힌 블레이드로 가공함에 있어, 경도가 매우 낮은 Si 자재를 비롯하여 Glass, Quartz 등의 자재보다 가공이 매우 어렵다는 것을 의미 ㆍ 일련의 대안으로 스텔스 레이저 다이싱 설비로 사파이어 절삭을 진행하기도 하는데, 가격이 매우 비싸다는 단점 ㆍ Vitrified bond(주로 edge grinding에 이용됨) 재질의 블레이드 및 비접촉 센서가 장착된 다이싱 설비를 이용하여 공정 지원 |
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| 결과 | ㆍ Sapphire 절삭 공정 조건 Setup 완료 | ||
| 사진 | ㆍSapphire 절삭 공정 조건 Setup - Cutting 방식: Step cut(1st Step: ~150um/이후 Step: ~250um) - RPM : 10000 rpm -> rpm이 낮을수록 절삭력이 높아짐 - Feed speed: 1 mm/s (Blade 社 guarantee 조건)
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| 기술적가치 | ㆍ 경도가 높은 wafer를 이용한 소자 분야 공정 지원 (ex: sapphire/SiC등) | ||
| 활동분야 | ㆍ 전자소자(HEMT) 분야 ㆍ Nano-electronics ㆍ 시스템반도체 소자 분야 ㆍ Epi 소자를 활용한 분야 |
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| 기술관련문의 | ㆍ 공정서비스지원실 이용수 주임 (031-546-66318, yongsu.lee@kanc.re.kr) | ||
