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KANC e-Newsletter(2023.06)

  • 등록일 2023.06.20
  • 조회수 1892
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KANC e-Newsletter 2023.06 KANC Zoom-In 연구원 창업 1호 기업 엘씨스퀘어(주) 마이크로 LED 엘씨스퀘어(주)는 한국나노기술원이 연구원 창업지원제도를 통해 배출한 연구원 창업 1호 기업입니다. 한국나노기술원 소자기술개발본부 책임연구원이였던 최재혁 CTO는 지난 10년 간 마이크로 LED 관련 연구개발을 수행하였으며 2017년 레이저를 이용한 마이크로 LED 직접 박리 기술 및 인터포저 제조 관련 원천기술 개발하여 이를 기반으로 사업화를 하였습니다. 더보기 KANC 한국나노기술원 2023년 양자기술 신진인력양성 기반과정 양자기술구현을 위한 E-beam Lithography 직접사용교육 실습 양자팹을 활용한 2023년도 양자기술신진인력양성 사업 안내 한국나노기술원은 양자팹 구축사업의 일환으로 양자기술분야의 신진 연구자 역량을 향상시켜 양자분야 핵심연구인력 육성하고자 양자기술분야 학계/산업계/연구계 종사자를 대상으로 교육을 실시하오니 관심있으신 분들의 많은 참여 바랍니다. 더보기 KANC Focus 한국나노기술원 N-Facility 주요 성과 소개 한국나노기술원은 지난 2019년 12월 핵심기술 개발의 중추역할을 담당할 국가 연구시설로 지정되어 옵토레인사와 코로나 진단키트 PCR 검출을 위한 반도체용 광학칼라 PR 공정 개발 등 다양한 산학연과의 반도체 공정 공동개발을 수행하였습니다. 또한 기술원은 테스트베드 공정/측정분석 서비스 실적이 지난 2년간 총 35878건에 달하는 등 테스트베드의 역할을 성공적으로 수행하고 있습니다. 더보기 InGaAs/InAs/InGaAs composite channel HEMT 기반 metal-semiconductor-metal(MSM) varactors 연구 결과 발표 한국나노기술원은 한국폴리텍대학 신승헌 교수, 김도균 교수팀과 연구협력을 통하여 InGaAs/InAs/InGaAs composite channel HEMT 기반의 MSM varactor 연구결과를 Japanese Journal of Applied Physics (JJAP) 저널에 발표하였습니다. 더보기 3차원 적층형 InGaAs HEMT에서 Back Metal 효과에 대한 연구결과 발표 한국나노기술원은 한국과학기술원 김상현 교수팀, 한국전자통신연구원 금대명 박사팀과 연구협력을 통하여 3차원 적층형 InGaAs HEMT에서 back metal 구조 및 back-gate bias가 DC RF 특성에 미치는 영향에 대한 연구결과를 반도체 소자분야의 권위 있는 학술지인 IEEE Electron Device Letters에 게재하였습니다. 더보기 KANC News 중기부 1인 창조기업 지원센터 22년 사업평가 최우수 S등급 한국나노기술원 나노 1인 창조기업 지원센터가 22년 최우수 S등급에 선정되었습니다. 창조기업 지원센터는 1인 창조기업의 성공적 기술창업을 위한 나노팹 첨단 고가 연구장비 및 시설, 반도체 공정 및 분석 전문인력, 맞춤형 교육, 경영지원, 연구실 제공 등 체계적인 기술특화 종합지원체제(Total Support System)를 지원하고 있습니다. 경기과학기술대학교와 반도체 인재양성 교육을 위한 MOU 체결 한국나노기술원은 경기과학기술대학교와 반도체 인재양성 교육을 위한 양 기관간 업무협약을 지난 5월 10일 체결하였습니다. 이번 업무 협력을 통해 양 기관은 교육과정의 공동 개발 및 공동 운영, 반도체 전문인력 양성에 대한 위탁 교육 등을 공동으로 수행하게 됩니다. 한국나노기술원 2023년도 전문학사 대상 반도체 공정ㆍ장비 교육을 오는 6월부터 8월까지 5주간 교육을 실시할 예정입니다. 나노기술 인력양성사업은 청년 일자리 창출과 중소기업 현장 기술 인력 지원을 목적으로 한국나노기술원이 보유한 첨단설비와 전문 인력을 활용해 중소중견기업에 종사할 기술 인력을 양성하는 사업입니다.
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